Isamu Akasaki (Japonca: 赤﨑 勇, 30 Ocak 1929 - 1 Nisan 2021, Nagoya), yarı iletken teknoloji alanında uzmanlaşmış Japon bilim insanı ve Nobel Ödülü sahibidir. 1989'da parlak galyum nitrid (GaN) p-n jonksiyonu mavi LED'i ve daha sonradan yüksek parlaklıkta GaN mavi LED'i icat etmesi ile bilinir.[1][2][3][4][5]
Bu ve diğer başarıları için, Akasaki 2009'da Yüksek Teknoloji dalında Kyoto Ödülüne[6] ve 2011'de IEEE Edison Madalyasına[7] layık görüldü. Aynı zamanda Fizik dalında Hiroshi Amano ve Shuji Nakamura ile birlikte "parlak ve enerji tasarruflu beyaz ışık kaynaklarını etkinleştiren yeterli mavi ışık yayıcı diyotların icadı için" 2014 Nobel ödülünü kazandı.[8]
^Hiroshi Amano, Masahiro Kito, Kazumasa Hiramatsu and Isamu Akasaki: "P-Type Conduction in Mg-doped GaN Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation (LEEBI)", Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 28, No.12, December 1989, pp. L2112-L2114, (accepted for pub. Nov. 1989).
^I. Akasaki, H. Amano, M. Kito and K. Hiramatsu :”Photoluminescence of Mg doped p-type GaN and electroluminescence of GaN p-n junction LED” J. Cryst. Growth, Vol. 48&49 pp.666-670, 1991