আকাসাকি জাপানের কাগোসিমা প্রিফেকচারে জন্মগ্রহণ করেন। তিনি ১৯৫২ সালে কিয়োটো বিশ্ববিদ্যালয় থেকে স্নাতক এবং ১৯৬৪ সালে নাগোয়া বিশ্ববিদ্যালয় থেকে ডক্টর অফ ইঞ্জিনিয়ারিং, ইলেক্ট্রনিক্সে ডিগ্রী লাভ করেন। ১৯৬০-এর পর থেকে তিনি GaN-ভিত্তিক নীল এলইডি-এর উপর কাজ শুরু করেন। Matsushita Research Institute Tokyo, Inc.(MRIT) নামক জায়গায় metal organic vapor phase epitaxy (MOVPE) এর ভিত্তিতে ধাপে ধাপে তিনি GaN ক্রিস্টাল এবং ইলেকট্রনিক বস্তুর গঠনের উন্নতি করতে থাকেন।[৭]
১৯৮১ সালে আকাসাকি নাগোয়া বিশ্ববিদ্যালয়ে MOVPE এর সাহায্যে GaN ক্রিস্টালের দারুণ উন্নয়ন করেন। ১৯৮৫ সালে তিনি এবং তার দল নিম্ন তাপমাত্রা বাফার লেয়ার প্রযুক্তির সাহায্যে নীলকান্তমণির উপর উচ্চ মানের GaN তৈরি করেন।[৮][৯]
এই উচ্চমানের GaN কে ম্যাগণেসিয়ামে ডোপিং করে এবং তাৎক্ষনিকভাবে ইলেকট্রন ইররেডিয়েশন করে তারা ১৯৮৯ সালে পি-টাইপ GaN তৈরি করেন যার সাহায্যে তারা একইসালে GaN পি-এন জাংশন নীল/ইউভি এলইডি তৈরি করেন এবং ১৯৯০ সালে এন-টাইপ GaN এর পরিবাহিতার উপর নিয়ন্ত্রণ প্রতিষ্ঠা করেন[১০] এবং ১৯৯১ সালে সিলিকনে ডোপিং করে সংশ্লিষ্ট সঙ্কর ধাতু তৈরি করেন[১১] যা অধিক কার্যকরী পি-এন জাংশন লাইট এমিটিং এর গঠন ও নকশায় অসম গঠন(হেটারো স্ট্রাকচার) এবং একাধিক কোয়ান্টাম কূপের ব্যবহার নিশ্চিত করে।
১৯৯০ সালে তারা প্রথমবারের মত কক্ষ তাপমাত্রায় GaN থেকে উৎসাহিত হওয়ার মত নিঃসরণ দেখতে পান[১২] এবং ১৯৯৫ সালে উচ্চমানের AlGaN/GaN/GaInN কোয়ান্টাম কূপ যন্ত্রের পাল্সড কারেন্ট ইনজেকশনের সাহায্যে সেই নিঃসরণকে ৩৮৮ ন্যানোমিটার তরঙ্গদৈর্ঘ্যে উন্নীত করেন।[১৩] তারা ১৯৯১ সালে কোয়ান্টাম সাইজ ইফেক্ট[১৪] এবং ১৯৯৭ সালে কোয়ান্টাম কনফাইন্ড স্টার্ক ইফেক্ট লক্ষ করেন[১৫] নাইট্রাইড সিস্টেমের মধ্যে, এবং ২০০০ সালে তাত্ত্বিকভাবে পাইজোইলেকট্রিক ফিল্ডের বিন্যাসগত নির্ভরতা এবং নন-/সেমি-পোলার GaN ক্রিস্টালের অস্তিত্ব প্রমাণ করেন।[১৬] যা বর্তমান সময়ে অধিক কার্যকরী আলো নিঃসরণ যন্ত্র সৃষ্টিতে ঐ সমস্ত ক্রিস্টালের ব্যবহারের জন্য উৎপাদনের সংখ্যা বহুগুণে বাড়িয়ে দিয়েছে।
নাগোয়া ইউনিভার্সিটি আকাসাকি ইন্সটিটিউট
এসমস্ত আবিষ্কারের ভিত্তিতে অধ্যাপক আকাসাকি কিছু পেটেন্ট অর্জন করেন, রয়্যালটি লাভ করেন। নাগোয়া ইউনিভার্সিটি আকাসাকি ইন্সটিটিউট[১৭] ২০০৬ সালের অক্টোবর মাসের ২০ তারিখ থেকে কার্যক্রম শুরু করে। এই প্রতিষ্ঠান তৈরির খরচ পেটেন্টের রয়্যালটি হিসেবে প্রাপ্ত অর্থ থেকে যোগান দেয়া হয় যে অর্থ নাগোয়া বিশ্ববিদ্যালয়ের অন্যান্য কাজেও ব্যয় করা হচ্ছিল। এই ইন্সটিটিউটে নীল এলইডি আবিষ্কারের ইতিহাস, গবেষণা ও উন্নয়নের উপর ভিত্তি করে এলইডি গ্যালারী তৈরি করা হয়েছে, গবেষণায় সহযোগী অফিস, সৃজনশীল গবেষণার জন্য ল্যাবরেটরি এবং সবার উপরে ৭ তলায় অধ্যাপক আকাসাকির অফিস অবস্থিত।
পেশাজীবন
(১৯৫২-১৯৫৯) Kobe Kogyo Corporation (বর্তমানে, Fujitsu Ltd.) এ গবেষক।
(১৯৫৯-১৯৬৪) নাগোয়া বিশ্ববিদ্যালয়ের ইলেক্ট্রনিক্স বিভাগের সহযোগী গবেষক, সহকারী অধ্যাপক ও সহযোগী অধ্যাপক।
(১৯৬৪-১৯৭৪) Matsushita Research Institute Tokyo, Inc এর মৌলিক গবেষণাগার ৪ এর প্রধান।
(১৯৭৪-১৯৮১) Matsushita Research Institute Tokyo, Inc এর সেমিকন্ডাক্টর বিভাগের জেনারেল ম্যানেজার।
(১৯৮১-১৯৯২) নাগোয়া বিশ্ববিদ্যালয়ের ইলেক্ট্রনিক্স বিভাগের অধ্যাপক।
(১৯৯২-বর্তমান) নাগোয়া বিশ্ববিদ্যালয়ের ইমেরিটাস অধ্যাপক, মেইজো বিশ্ববিদ্যালয়ের অধ্যাপক।
(১৯৯৩-১৯৯৯) JST এর অর্থ সহযোগিতায় পরিচালিত “Research and Development of GaN-based Short-Wavelength Semiconductor Laser Diode” এর প্রজেক্ট লিডার।
(১৯৯৫-১৯৯৬) হোক্কাইডো বিশ্ববিদ্যালয়ের রিসার্চ সেন্টার ফর ইন্টারফেস কোয়ান্টাম ইলেক্ট্রনিক্স এর ভিজিটিং প্রফেসর।
(১৯৯৬-২০০১) জাপান সোসাইটি ফর প্রমোশন অফ সাইন্স(JSPS) এর “Research for the Future" প্রোগ্রামের প্রজেক্ট লিডার।
(১৯৯৬-২০০৪) MEXT এর অর্থ সহযোগিতায় পরিচালিত, মেইজো বিশ্ববিদ্যালয়ের “High-Tech Research Center for Nitride Semiconductors" এর প্রজেক্ট লিডার।
(২০০১-বর্তমান) নাগোয়া বিশ্ববিদ্যালয়ের আকাসাকি রিসার্চ সেন্টারের গবেষণা ফেলো।
(২০০৩-২০০৬) METI এর অর্থ সহযোগিতায় পরিচালিত “R&D Strategic Committee on the Wireless Devices Based on Nitride Semiconductors” এর চেয়ারম্যান।
(২০০৪=বরতমান) মেইজো বিশ্ববিদ্যালয়ের রিসার্চ সেন্টার ফর নাইট্রাইড সেমিকন্দাক্টরস এর পরিচালক।
পুরস্কার ও সম্মাননা
বৈজ্ঞানিক ও প্রাতিষ্ঠানিক
১৯৮৯ জাপানি এসোসিয়েশন ফর ক্রিস্টাল গ্রোথ (JACG) পুরস্কার
২০০৬ Outstanding Achievement Award, the Japanese Association for Crystal Growth
২০০৭ Honorable Lifetime Achievement Award, the 162nd Research Committee on Wide Bandgap Semiconductor Photonic and Electronic Devices, Japan Society for the Promotion of Science (JSPS)
২০০৮ Foreign Associate, the US National Academy of Engineering[৩১]
২০০৯ Kyoto Prize আডভান্সড টেকনোলজি, দি ইনামোরি ফাউন্ডেশন[৩২]
২০১০ আজিবন অধ্যাপক, মেইজো বিশ্ববিদ্যালয়
২০১১ Edison Medal, দি ইন্সটিটিউট অব ইলেকট্রিকাল অ্যান্ড ইলেক্ট্রনিক্স ইঞ্জিনিয়ার্স[৩৩]
২০১১ স্পেশাল অ্যাওয়ার্ড ফর ইন্টেলেকচুয়াল প্রোপার্টি এক্টিভিটিস, the Japan Science and Technology Agency
২০১১ মিনামি-নিপ্পন কালচার পুরস্কার-সম্মাননা পুরস্কার
↑Hiroshi Amano, Masahiro Kito, Kazumasa Hiramatsu and Isamu Akasaki: "P-Type Conduction in Mg-doped GaN Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation (LEEBI)", Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 28, No.12, December 1989, pp. L2112-L2114, (accepted for pub. Nov. 1989).
↑I. Akasaki, H. Amano, M. Kito and K. Hiramatsu :”Photoluminescence of Mg doped p-type GaN and electroluminescence of GaN p-n junction LED” J. Cryst. Growth, Vol. 48&49 pp.666-670, 1991
↑Y. Ohki, Y. Toyoda, H. Kobayasi and I. Akasaki: “Fabrication and properties of a practical blue-emitting GaN m-i-s diode. Inst. Phys. Conf. Ser. No. 63, pp. 479-484 (Proc. of the 9th Intl. Symposium on Gallium Arsenide and Related Compounds, 1981).
↑H. Amano, N. Sawaki I. Akasaki and Y. Toyoda: "Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layer,"
↑Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, Yasuo Koide, Kazumasa Hiramatsu and Nobuhiko Sawaki: "Effects of AlN buffer layer on crystallographic structure and on electrical and optical properties of GaN and Ga1-xAl xN (0<x < = 0,4) films grown on sapphire substrate by MOVPE", J. Crystal Growth,Vol.98 (1989) ,pp.209-219
↑H. Amano and I. Akasaki: "Fabrication and Properties of GaN p-n Junction LED", Mater. Res. Soc. Extended Abstract (EA-21), pp.165-168, 1990 ,(Fall Meeting 1989)
↑Hiroshi Murakami, Tsunemori Asahi, Hiroshi Amano, Kazumasa Hiramatsu, Nobuhiko Sawaki and Isamu Akasaki: "Growth of Si-doped AlxGa 1-xN on (0001) sapphire substrate by metal organic vapor phase epitaxy" , J. Crystal Growth, Vol.115 (1991),pp. 648-651.
↑H. Amano, T. Asahi and I. Akasaki: “Stimulated Emission Near Ultraviolet at Room Temperature from a GaN Film Grown on Sapphire by MOVPE Using an AlN Buffer Layer” Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 29, pp. L205-L206, 1990.
↑Isamu Akasaki, Hiroshi Amano, Shigetoshi Sota, Hiromitsu Sakai, Toshiyuki Tanaka and Masayoshi Koike: "Stimulated Emission by Current Injection from an AlGaN/GaN/GaInN Quantum Well Device" Jpn. J. Appl. Phys., Vol. 34 (1995) pp. L1517-1519, Part 2, No.11B, 15November 1995 (accepted for pub. October 16, 1995).
↑K. Itoh, T. Kawamoto, H. Amano ,K. Hiramatsu and I. Akasaki: “Metalorganic Vapor Phase Epitaxial Growth and Properties of GaN/Al0.1Ga0.9N Layered Structures” Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 30, pp.1924-1927,1991.
↑T. Takeuchi, S. Sota, M. Katsuragawa, M. Komori, H. Takeuchi, H. Amano and I. Akasaki: “Quantum-Confined Stark Effect due to Piezoelectric Fields in GaInN Strained Quantum Wells” Jpn. J. Appl. Phys., Vol.36, Pt. 2, No. 4A, pp. L382-385, 1997.
↑Tetsuya Takeuchi, Hiroshi Amano and Isamu Akasaki: "Theoretical Study of Orientation Dependence of Piezoelectric Effects in Wurtzite Strained GaInN/GaN Heterostructures and Quantum Wells", Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 39, pp. 413-416, Part1, No.2A, Feb.2000. (accepted for pub., November 1, 1999).
↑"সংরক্ষণাগারভুক্ত অনুলিপি"(পিডিএফ)। ১৭ অক্টোবর ২০১২ তারিখে মূল(পিডিএফ) থেকে আর্কাইভ করা। সংগ্রহের তারিখ ২৫ অক্টোবর ২০১৪।
