Amano brann för amatörradio och trots att han hatade att studera var han bra på matematik. När han gick på gymnasiet började han ta sina studier på allvar och blev en toppstudent genom att studera varje dag till sent på natten. Han tog sin kandidatexamen (BE) 1983, masterexamen (ME) 1985 och doktorsexamen 1989 vid Nagoyas universitet.
Karriär
Efter ingenjörsutbildningen blev Amano 1982 forskarstudent hos professor Isamu Akasaki i Nagoya, där han hoppades kunna bidra till utveckling av tunnare TV-apparater för trångbodda japanska hem. År 1989 lyckades man framställa kristaller av dopad GaN (galliumnitrid), och världens första blå lysdioder.
År 1992 flyttade han till Meijo universitetet, där han var biträdande professor och från 1998 till 2002 docent. År 2002 blev han professor, men 2010 flyttade han till Graduate School of Engineering, Nagoya universitet, där han för närvarande (2020) är professor.
Amanos laboratorium har varit känt för att vara angeläget om forskningen och har alltid tänt till sent på kvällen, såväl vardagar som helgdagar och kallades "inget natthärbärge".[6] Enligt hans studenter i laboratoriet är Amano en optimistisk och varm person och blir aldrig arg.[7][8]
Hedersbetygelser
2009 – Stipendiat, Japan Society of Applied Physics
2009 – Nistep (National Institute of Science and Technology Policy) Forskare från Ministry of Education of Japan
2011 – Stipendiet, Institute of Physics
2014 – Person of Cultural Merit, av japanska regeringen
2016 – Utländsk ledamot i National Academy of Engineering[9]
Publikationer i urval
Amano, H.; Sawaki, N.; Akasaki, I.; Toyoda, Y. (3 februari 1986). ”Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layer”. Applied Physics Letters (AIP Publishing) 48 (5): sid. 353–355. doi:10.1063/1.96549. ISSN0003-6951.
Amano, Hiroshi; Akasaki, Isamu; Kozawa, Takahiro; Hiramatsu, Kazumasa; Sawaki, Nobuhiko; Ikeda, Kousuke; Ishii, Yoshikazu (1988). ”Electron beam effects on blue luminescence of zinc-doped GaN”. Journal of Luminescence (Elsevier BV) 40-41: sid. 121–122. doi:10.1016/0022-2313(88)90117-2. ISSN0022-2313.
Amano, Hiroshi; Kito, Masahiro; Hiramatsu, Kazumasa; Akasaki, Isamu (20 december 1989). ”P-Type Conduction in Mg-Doped GaN Treated with Low-Energy Electron Beam Irradiation (LEEBI)”. Japanese Journal of Applied Physics (Japan Society of Applied Physics) 28 (Part2 december No. 12): sid. L2112–L2114. doi:10.1143/jjap.28.l2112. ISSN0021-4922.
Murakami, Hiroshi; Asahi, Tsunemori; Amano, Hiroshi; Hiramatsu, Kazumasa; Sawaki, Nobuhiko; Akasaki, Isamu (1991). ”Growth of Si-doped AlxGa1–xN on (0001) sapphire substrate by metalorganic vapor phase epitaxy”. Journal of Crystal Growth (Elsevier BV) 115 (1–4): sid. 648–651. doi:10.1016/0022-0248(91)90820-u. ISSN0022-0248.
Itoh, Kenji; Kawamoto, Takeshi; Amano, Hiroshi; Hiramatsu, Kazumasa; Akasaki, Isamu (15 september 1991). ”Metalorganic Vapor Phase Epitaxial Growth and Properties of GaN/Al0.1Ga0.9N Layered Structures”. Japanese Journal of Applied Physics (Japan Society of Applied Physics) 30 (Part1 december No. 9A): sid. 1924–1927. doi:10.1143/jjap.30.1924. ISSN0021-4922.
I. Akasaki, H. Amano, K. Itoh, N. Koide & K. Manabe, Int. Phys. Conf. Ser. 129, 851 (1992).
Akasaki, Isamu; Amano, Hiroshi; Sota, Shigetoshi; Sakai, Hiromitsu; Tanaka, Toshiyuki; Koike, Masayoshi (1 november 1995). ”Stimulated Emission by Current Injection from an AlGaN/GaN/GaInN Quantum Well Device”. Japanese Journal of Applied Physics (Japan Society of Applied Physics) 34 (11B): sid. L1517. doi:10.7567/jjap.34.l1517. ISSN0021-4922.