2016. gadā Amano tika ievēlēts par ASV Nacionālās inženierzinātņu akadēmijas locekli — par p-tipa gallija nitrīda (GaN) leģēšanas izstrādi, nodrošinot zilās pusvadītāju gaismas diodes izveidošanu.[2]
Biogrāfija
Amano dzimis Hamamacu, Japānā, 1960. gada 11. septembrī. Pamatskolas laikā viņš nodarbojās ar futbolu un softbolu, aizrāvās ar radioamatierismu. Viņam padevās matemātika, kaut arī mācības nepatika.[3] Iestājoties vidusskolā, viņš sāka nopietni pievērsties mācībām un kļuva par labāko skolēnu. 1979. gadā iestājās Nagojas Universitātē, kur studēja elektrotehnikas specialitātē un ieguva bakalaura, maģistra un doktora grādu (attiecīgi 1983., 1985. un 1989. gadā).[3]
Viņš pievienojās profesora Isamu Akasaki grupai 1982. gadā kā bakalaura students.[3] Kopš tā laika viņš veica pētījumus par III grupas nitrīdu pusvadītāju augšanu, raksturojumu un ierīču pielietojumu, kas mūsdienās ir labi pazīstami kā materiāli, ko izmanto zilās gaismas diodēs. 1985. gadā viņš izstrādāja zemās temperatūrās nogulsnētus buferslāņus III grupas nitrīdu pusvadītāju plēvju audzēšanai uz safīrasubstrāta. Šo pētījumu rezultātā tika realizētas III grupas nitrīda pusvadītāju gaismas diodes un lāzerdiodes. 1989. gadā viņam pirmo reizi pasaulē izdevās izaudzēt p-tipa gallija nitrīdu (GaN) un izgatavot uz p-n pārejas tipa GaN bāzes UV/zilu gaismu izstarojošu diodi.
No 1988. līdz 1992. gadam viņš bija Nagojas Universitātes zinātniskais līdzstrādnieks. 1992. gadā viņš pārcēlās uz Meijo Universitāti, kur bija docents. No 1998. līdz 2002. gadam viņš bija asociētais profesors. 2002. gadā viņš kļuva par profesoru. 2010. gadā viņš pārcēlās uz Nagojas Universitātes Inženieru augstskolu kā profesors. 2011. gadā Amano kļuva par Nagojas universitātes Akasaki pētniecības centra direktoru.[3]
Kopš 2009. gada Amano ir Japānas Lietišķās fizikas biedrības biedrs, bet kopš 2011. gada — Apvienotās Karalistes Fizikas institūta biedrs. Amano ir vairāku akadēmisko organizāciju biedrs.[3]