HMOS (anglicky High density, short channel Metal Oxide Silicone, případně High-performance MOS) je označení technologie výroby číslicových integrovaných obvodů, která byla používána od roku 1976 pro výrobu většiny mikroprocesorů, některých typů pamětí a mnoha podpůrných a periferních obvodů. V polovině 80. let 20. století začala být nahrazována technologií CMOS a HCMOS[1].
Použití
Do začátku 80. let 20. století, byly obvody používající technologii CMOS stále docela pomalé a byly používány většinou pro obvody nízké a střední integrace řady 4000, statické RAM a zákaznické obvody ASIC s nízkým příkonem pro spotřební elektroniku jako digitální hodinky a kalkulátory apod. Pro obvody vysoké integrace, které měly mít vysoký výkon se používala technologie NMOS.
Technologie HMOS je vylepšená technologie NMOS se zatěžovacími tranzistory v režimu ochuzení, kterou vyvinula firma Intel pro výrobu statických RAM pamětí[2]. Technologie začala být používána v roce 1976 a velmi brzy byla použita i pro výrobu novějších provedení mikroprocesorů Intel 8085 a Intel 8086 se sníženou spotřebou a vyšším výkonem a dalších čipů.
Licence na technologii HMOS byly také prodány dalším výrobcům, například firmě Motorola, která ji použila na výrobu obvodů řady Motorola 68000[3].
Technologie označované HMOS, HMOS II, HMOS III a HMOS IV byly používány pro výrobu mnoha druhů mikroprocesorů: Intel 8048, Intel 8051, Intel 8086, Intel 80186, Intel 80286.
Generace HMOS[4]
| Generace
|
Uvedení na trh
|
Délka kanálu
|
Zpoždění hradla
|
| HMOS I
|
1976
|
≈ 3 µm
|
100 ns
|
| HMOS II
|
1979
|
≈ 2 µm
|
30 ns
|
| HMOS III
|
1982
|
≈ 1,5 µm
|
10 ns
|
Odkazy
Reference
V tomto článku byly použity překlady textů z článků HMOS na německé Wikipedii a Depletion-load NMOS logic na anglické Wikipedii.
Literatura
- K. Yu, R.J.C. Chwang, M.T. Bohr, P.A. Warkentin, S. Stern, C.N. Berglund. HMOS-CMOS-a low-power high-performance technology. IEEE Journal of Solid-State Circuits. 1981-10, roč. 16, čís. 5, s. 454–459. DOI 10.1109/JSSC.1981.1051622.
Související články
