羅伯特·丹納德

羅伯特·海思·丹納德 Robert H. Dennard
羅伯特·海思·丹納德博士，IBM院士，圖中背後圖形為動態隨機存取記憶體（DRAM）記憶單元的電路圖
出生	(1932-09-05)1932年9月5日  美国德克薩斯州特雷爾（英语：Terrell, Texas）
逝世	2024年4月23日(2024歲—04—23)（91歲）  美国紐約州哈德逊河畔克罗顿
国籍	美国
母校	南方衛理公會大學 卡內基技術學院
知名于	動態隨機存取記憶體（DRAM）
奖项	哈維獎（1990） IEEE愛迪生獎章（2001） IEEE榮譽獎章（2009）
科学生涯
研究领域	電機工程
机构	IBM

羅伯特·海思·丹納德（英語：Robert Heath Dennard，1932年9月5日—2024年4月23日），生於美國德克薩斯州特雷爾（英语：Terrell, Texas），電機工程師與發明家，為動態隨機存取記憶體（DRAM）的發明者。

生平

1954年，於達拉斯南方衛理公會大學取得電機工程學士，1956年取得碩士學位。1958年，於卡內基技術學院（卡内基梅隆大學的前身）取得博士學位。畢業後，進入IBM工作。

1968年，發明動態隨機存取記憶體（DRAM）。1970年代與1980年代，投入MOSFET的微縮方程式（scaling equations）研發。

榮譽

2013年，獲得日本京都賞先進技術獎。

外部連結

• （英文）Robert Dennard, Inventor of the Week (Archive), MIT, [2013-09-04], （原始内容存档于2003-04-15） .
• （英文）Robert H Dennard, Legacies (Bio), IEEE, [2013-09-04], （原始内容存档于2014-11-21） .