Рассел Ол

|Батько= |Посада= |Діти= |Дружина= |Мати= |Чоловік=

Рассел Ол
Russell Ohl
Народився	30 січня 1898(1898-01-30) Аллентаун, Пенсільванія, США
Помер	20 березня 1987(1987-03-20) (89 років) Віста, Каліфорнія, США
Країна	США
Діяльність	винахідник, фізик
Галузь	напівпровідники
Заклад	Bell Labs Університет штату Пенсильванія
Відомий завдяки:	відкриття p-n-переходу

Рассел Ш'юмейкер Ол (англ. Russell Shoemaker Ohl; 30 січня 1898 — 20 березня 1987)) — американський інженер, відомий своїми дослідженнями напівпровідників ще до відкриття транзистора. У 1946 році він отримав патент США на конструкцію сучасного сонячного елементу (U.S. Patent 2 402 662)^[1].

У 1939 році Ол відкрив явище p-n-переходу^[2]. В той час мало хто знав про домішки в кристалах напівпровідників, але Расселу вдалося виявити, що через наявність цих домішок деякі ділянки напівпровідника мали більший опір, і як наслідок, гірше проводили електричний струм. Бар'єр між ділянками різної «чистоти» змушував напівпровідниковий діод працювати. Усі сучасні діоди (світлодіоди, лазерні і т. д.) є нащадками робіт Ола.

Примітки

1. Riordan M. & Hoddeson L. The origins of the pn junction (PDF) (англ) . IEEE Spectrum, June 1997, pp. 46-51. Архів оригіналу (PDF) за 28 червня 2012. Процитовано 6 жовтня 2010.
2. Silicon P-N Junction (англ) . 1999, ScienCentral Inc. and American Institute of Physics. Архів оригіналу за 3 жовтня 2017. Процитовано 19 жовтня 2015.

Посилання

• IEEE History Center: Oral History of Russell Ohl [Архівовано 2 лютого 2014 у Wayback Machine.] (англ.)
• PBC Biography of Russell Ohl [Архівовано 9 вересня 2017 у Wayback Machine.] (англ.)