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在物理学中,肖克利-奎伊瑟极限(亦称细致平衡极限、精细平衡转换效率极限、SQ极限、或辐射效率极限)是使用单PN结的太阳能电池从电池中收集能量的理论最大效率,其中唯一能量损失的机制是太阳能电池中的辐射复合。它由威廉·肖克利和Hans-Joachim Queisser于1961年在肖克利半导体实验室首次计算得出,其結論為材料帶隙為1.1 eV时,電池達到最大效率30%[1]。此极限是生产太阳能最基本的原理之一,亦并被认为是该领域最重要的理論基礎之一[2]。
最初的计算使用6000K黑体光谱模擬太阳光谱,随后的计算使用了實際测量的全球太阳光谱AM 1.5,并包括一个背面反射镜,它将带隙为1.34 eV的单结太阳能电池的最大太阳转换效率提高到33.16%[3],也就是说,所有落在理想太阳能电池上的阳光(约1000 W/m2)的能量中,只有33.7%能够转化为电能(337 W/m2)。最流行的太阳能电池材料硅的带隙为1.1 eV,其理論最高效率約為32%。现代商用单晶太阳能电池的转换效率约为24%,这种损耗很大程度是因為電池外部的影響,比如电池正面的反射和电池表面细线的光阻塞。
肖克利-奎伊瑟极限仅适用于单PN结的传统太阳能电池,多层太阳能电池可以(而且的確)超越这一极限,太阳能热机和某些其他太阳能系统也可以。更极端地,具有无限层数的多结太阳能电池,正常日照时的极限为68.7%[4],聚光日照时的极限为86.8%[5](参见光电转换效率)。
背景
在诸如硅的传统固态半导体中,太阳能电池由两个掺杂晶体制成,一个是n型半导体,它有额外的自由电子,另一个是p型半导体,它没有自由电子,称为“空穴”。当它们刚开始彼此接触时,n型半导体部分中的一些电子会将流入p型半导体部分以“填补”缺失的电子,最终会有足够的电子流过边界,使两种材料的费米能级相等,形成界面上的一个区域PN结,界面两侧的载流子被耗尽。在硅中,这种电子的转移产生大约0.6 V到0.7 V的電势[6]。
当材料置于太阳光下时,来自太阳光的光子可以被吸收到半导体的p型侧,使得价带中电子的能量被提升到导带,这个过程被称为光激发。顾名思义,导带中的电子可以在半导体中自由移动。当一个负载整体地加在电池上时,这些电子将从p型一侧流向n型一侧,在通过外部电路时消耗能量,然后回到p型材料,与它们留下的价带空穴重新结合。这样便可利用太阳光产生电流[6]。
参见
参考文献
外部链接
延伸阅读