IGBT

Principskiss av en IGBT i tvärsnitt.

Schemasymbol IGBT

IGBT eller insulated-gate bipolar transistor ("bipolär transistor med isolerat styre") är en typ av transistor som är en vanlig komponent i modern kraftelektronik. Den kombinerar egenskaperna hos en MOSFET-fälteffekttransistor och en bipolär transistor och utvecklades omkring 1980 av Jayant Baliga vid General Electric.^[1][2]

IGBT-transistorer förekommer bland annat i kraftelektroniken i moderna lok. En annan, mer vardaglig, applikation av IGBT-transistorer är i vissa typer av dimrar.^[3] För varvtalsstyrning av asynkronmotorer används idag IGBT mycket ofta - både som enskilda komponenter och som färdiga IGBT moduler i form av hel- eller halvbryggor.

Källor

1. ”Tidslinje Elektronikutvecklingen 1945-1990”. aef.se. Arboga Elektronikhistoriska Förening. 20 april 2016. http://aef.se/Elektronikutveckling/Artiklar/Tidslinje_teknikutv.htm. Läst 16 januari 2017. 
2. Edwards, John (22 november 2010). ”B. Jayant Baliga: Designing The Insulated-Gate Bipolar Transistor” (på engelska). Electronic Design. http://electronicdesign.com/analog/b-jayant-baliga-designing-insulated-gate-bipolar-transistor. Läst 16 januari 2017. 
3. [1] Arkiverad 5 mars 2016 hämtat från the Wayback Machine., läst 30 juli 2015

Externa länkar

• Wikimedia Commons har media som rör IGBT.
  Bilder & media