Юрий Романович Носов (1931—2015) — создатель первых советских кремниевых плоскостных диодов, один из основателей диодной подотрасли электронной промышленности СССР, специалист в области полупроводниковых приборов (физика, теория, проектирование, разработки, исследования, производство, применение).
Отец — Носов Роман Иванович, выходец из крестьянской семьи Курской губернии; участник Первой мировой, Гражданской, Великой Отечественной войн; профессиональный связист; 3 июля 1941 года в возрасте 46 лет добровольцем вступил в ополчение, участвовал в боях под Москвой, в последний год войны обеспечивал связью штаб фронта под командованием И. Д. Черняховского, закончил войну в Кёнигсберге, награждён орденом «Красной Звезды».
Мать — Попова Мирра (Матрёна) Васильевна, из семьи донских казаков-интеллигентов Ростовская область, станица Нижне-Курмоярская (её отца А.Толстой упоминает в повести «Хлеб»), окончила царицынскую гимназию с серебряной медалью; участвовала в обороне Царицына; в 18 лет вступила в коммунистическую партию и сохранила партбилет до конца жизни (декабрь 1997 года); окончила Московский энергетический институт; работала инженером на ГРЭС № 1 в Москве; в середине 1930-х годов участвовала в строительстве Баксанской ГЭС; во время Великой Отечественной войны работала инженером на ГРЭС, расположенной в г. Балахна.
С 1955 по 1959 год Ю. Р. Носов работал в СКБ‑245 МПСА (будущий НИЦЭВТ): инженер, нач. лаборатории, с 1959 года и до 2015 года работал в НИИ-311 — АО "НПП «Сапфир».
В 1964 году Ю. Р. Носов защитил кандидатскую диссертацию в Учёном совете Ленинградского физико-технического института им. А. Ф. Иоффе. В 1968 году защитил докторскую диссертацию, в 1970 году получил учёное звание профессора. Оппонентами по его диссертациям были выдающиеся физики и электронщики В. М. Тучкевич, В. И. Стафеев, И. П. Степаненко, Б. Ф. Высоцкий.
Вся трудовая деятельность Ю. Р. Носова связана с актуальными проблемами полупроводниковой физики и электроники. В своих работах он идёт от фундаментальных физических основ через прикладные исследования и инженерно-технологические проработки к обязательному выходу полупроводниковых прибора в промышленность.
Коллективы учёных и разработчиков под руководством Ю. Р. Носова дважды становились Лауреатами Государственной премии СССР:
в 1972г — за научно-техническую разработку, создание технологии массового производства и широкое внедрение в народное хозяйство полупроводниковых импульсных диодов и диодных матриц в 1972 г.
в 1986г — за разработку и внедрение в народное хозяйство приборов некогерентной оптоэлектроники.
В 1991г — Лауреат Премии Совета министров СССР за сверхбыстродействующие кремниевые диоды в составе совместного коллектива Херсонского Объединения «Днепр» и НИИ «Сапфир».
В 1970-е годы Ю. Р. Носов активно занимается научно-общественной деятельностью. Как председатель секции «Микроэлектроника» в НТО РЭС им. А. С. Попова и секции «Оптоэлектроника» в НТО Приборостроения им. С. И. Вавилова организует и проводит семинары, конференции, конкурсы лучших работ, выставки достижений по полупроводниковой электронике на ВДНХ. Для студентов и старшеклассников публикует ряд популярных брошюр по оптоэлектронной тематике по линии Общества «Знание», а также статьи в журнале «Квант», издаёт книгу «Дебют оптоэлектроники».
Автор 15 монографий, более 200 научных статей, 68 изобретений.
Со второй половины 1990-х годов Ю. Р. Носов начал активно заниматься историей электроники. В течение 15 лет опубликовал более 50 статей и 3 монографии на эту тему. Исследование истории электроники США привело Ю. Р. Носова к увлечению общей историей этой страны, в результате чего появилась его книга об истории американского президентства.[1].
С юных лет Ю. Р. Носов увлекался игровыми видами спорта (футбол, волейбол, шахматы), в 1954 году стал первым чемпионом МГУ по настольному теннису. Благодаря увлечению туризмом в юности, а в дальнейшем благодаря служебным командировкам на заводы отрасли и на научные конференции объездил и облетел всю страну (тогда СССР) от Бреста до Владивостока и от Мурманска до Ферганы, побывал во всех республиках Советского Союза. В постперестроечный период посетил более 30 стран, побывал на всех континентах. Статьи о его путевых впечатлениях печатались в журнале «Эхо планеты», часть этих очерков вошла в книгу «Электроника и мир».[2].
У Ю. Р. Носова две дочери и сын, а также два внука и четыре внучки.
Награды и премии
Государственная премия СССР (1972) — за научно-техническую разработку, создание технологии массового производства и широкое внедрение в народное хозяйство полупроводниковых импульсных диодов и диодных матриц.
Государственная премия СССР (1986) — за разработку и внедрение в народное хозяйство приборов некогерентной оптоэлектроники.
Премия Совета Министров СССР (1991) — за разработку и внедрение в народное хозяйство сверхбыстродействующих кремниевых диодов.
Орден "Знак Почета (1966 г.), орден Трудового Красного Знамени (1972 г.), почётное звание «Заслуженный деятель науки и техники» (Указ подписан 18.12.1991 Б. Н. Ельциным). Почётная грамота Правительства Российской Федерации (подписана Председателем Правительства М. М. Касьяновым 03.09.2001), а также медали: «В ознаменование 100-летия со дня рождения В. И. Ленина», «Ветеран труда», «В память 850-летия Москвы», «300 лет Российскому флоту».
Ведомственные медали и знаки: Золотая медаль ВДНХ (четырежды), медали «Имени С. П. Королёва», «100 лет профсоюзам России», «50 лет ракетным войскам стратегического назначения», «50 лет победы в Великой Отечественной войне» (это от Сажи Умалатовой), знаки: «Почётный радист СССР» и «Почётный радист России», «Почётный работник электронной промышленности», «За заслуги в развитии радиоэлектроники и связи».
Ю. Р. Носов — Почётный академик Инженерной академии им. А. М. Прохорова.
Память
После смерти Юрия Романовича к его 85-летию издана книга — Замечательные страницы жизни профессора Ю. Р. Носова. Составители: Матвеева А. Ю., Носова Н. Ю., Сенников И. А., Чистова Т. С., М., 2016, 904 с
07 сентября 2016 года в Москве в здании АО "НПП «Сапфир» открыта Мемориальная доска Носову Ю. Р. (автор Карэн Саркисов).
Основные научные работы
1. Полупроводниковые импульсные диоды. М., Сов. радио, 1965, 224 с. Переведена в Польше.
2. Полупроводниковые диоды с накоплением заряда и их применение. Под ред. Ю. Р. Носова. М., Сов. радио, 1966, 152 с. (Соавторы: С. А. Еремин, О. К. Мокеев)
3. Физические основы работы полупроводникового диода в импульсном режиме. М., Наука, 1968, 263 с. Переведена в США.
4. Полупроводниковые диоды. Параметры, методы измерений. Под ред. Н. Н. Горюнова и Ю. Р. Носова. М., Сов. радио, 1968, 304 с. (С коллективом соавторов)
5. Математические модели элементов интегральной электроники. М., Сов. радио, 1974, 304 с. (Соавторы: К. О. Петросянц, В. А. Шилин). Переведена в Чехословакии.
6. Полупроводниковые приборы с зарядовой связью. М., Сов. радио, 1976, 144 с. (Соавтор: В. А. Шилин)
7. Оптоэлектроника. М., Сов. радио, 1977, 232 с.
8. Оптроны и их применение. М., Радио и связь, 1981, 280 с. (Соавтор: А. С. Сидоров)
9. Основы физики приборов с зарядовой связью. М., Наука, 1986, 320 с. (Соавтор: В. А. Шилин)
10. Оптоэлектроника. М., Радио и связь, 1989, 360 с.
11. Волоконно-оптические датчики: физические основы, вопросы расчёта и применение. М., Энергоатомиздат, 1990, 256 с. (Соавтор: В. И. Бусурин)
12. Электроника и мир. М.: НТЦ Микротех, 2001, 312 с.
13. Микроэлектроника бортовых вычислительных комплексов. Стратегия успеха. М., Логос, 2006, 192 с. (С коллективом соавторов)
14. Через тернии к звёздам. Замечательные страницы истории отечественной электроники. М., НТЦ Микротех, 2007, 326 с.
15. Президент. Замечательные страницы истории американского президентства от Джорджа Вашингтона до Барака Обамы. М., Логос, 2009, 256 с.
Примечания
↑Президент. Замечательные страницы истории американского президентства от Джорджа Вашингтона до Барака Обамы. М., Логос, 2009, 256 с.
↑Электроника и мир. М.: НТЦ Микротех, 2001, 312 с.
