Masa efektywna – odpowiednik masy dla ciał (cząstek) znajdujących się w środowisku materialnym, z którym oddziałują. Pojęcie masy efektywnej jest wygodne w szczególności do opisu własności dynamiki elektronów i dziur elektronowych w półprzewodnikach. Stosując masę efektywną w równaniach ruchu, automatycznie uwzględnia się obecność otaczających pól bez potrzeby ich dokładnej analizy. Masa efektywna może być zarówno mniejsza, jak i większa od masy spoczynkowej tego samego ciała w próżni. Może być też ujemna[1].
W środowisku materialnym (np. krysztale) zmienia się zależność dyspersyjna cząstki ε(k) z parabolicznej dla próżni (dla cząstki nierelatywistycznej) na pochodną:
Formalnie masę efektywną definiuje się przez tensor odwrotności masy efektywnej:
W przypadku ośrodka izotropowego masa efektywna staje się skalarem:
Masy efektywne w półprzewodnikach[2]
Półprzewodnik
|
Masa efektywna elektronu
|
Masa efektywna dziury
|
pierwiastki z grupy IV
|
krzem, Si
|
0,36 me
|
0,81 me
|
german, Ge
|
0,55 me
|
0,37 me
|
związki azotowców z borowcami
|
antymonek indu, InSb
|
0,013 me
|
0,3 me
|
fosforek indu, InP
|
0,08 me |
me
|
arsenek galu, GaAs
|
0,067 me
|
0,45 me
|
azotek galu, GaN
|
0,22 me |
0,8 me
|
azotek indu, InN
|
0,045 me |
0,6 me
|
gdzie me = 0,511 MeV/c² jest masą elektronu w próżni.
Przypisy
- ↑ Shanshan Yao, Xiaoming Zhou and Gengkai Hu. Experimental study on negative effective mass in a 1D mass–spring system. „New Journal of Physics”. 10 (4), s. 043020, 2008. DOI: 10.1088/1367-2630/10/4/043020.
- ↑ Vurgaftman, I, Meyer, JR, Ram-Mohan, LR. Band parameters for III-V compound semiconductors and their alloys. „J. Appl. Phys.”. 89 (11), s. 5815–5875, 2001. DOI: 10.1063/1.1368156.