싱가포르 팹과 유나이티드 마이크로일렉트로닉스의 본사. 유나이티드 마이크로일렉트로닉스 코퍼레이션 (United Microelectronics Corporation, 중국어 : 聯華電子公司 , 약칭: UMC)사는 중화민국 후원 연구소 ITRI 에서 스핀오프 하여 1980년에 대만 의 첫 번째 반도체 회사로 설립되었다. 오늘날 UMC는 팹리스 반도체 회사를 상대로 판매용 파운드리 사업과, 집적회로 웨이퍼 제조기업으로 유명하다. 파운드리 사업에서, UMC는 경쟁사로 TSMC 가 있으며 시장 점유율에서 2위를 차지한다.
1980년 이래 주요 연표는 다음과 같다.[ 1]
1980년 5월 : UMC 설립
1985년 7월 : IC 기업 최초로 타이완증권거래소에 상장.
1995년
7월 : 순수 파운드리 업체로의 변경 시작
7월 - 9월 : 3개의 합작 투자 파운드리 회사 설립
9월 : 200mm 팹에서 생산 시작
1996년 1월 : 0.35마이크론 대량 생산.
1997년 10월 : 0.25마이크론 대량 생산.
1998년
4월 : Holtek Semiconductor 팹 매입.
12월 : Nippon Steel Semiconductor Corp. 팹을 매입해 2001년 Fab UMCJ로 재명명.
1999년
3월 : 0.18마이크론 대량 생산.
11월 : 타이완의 타이난 과학공원(Tainan Science Park)에 300mm 팹인 Fab 12A 건설 착공.
2000년
1월 : 5개 회사 합병 완료. (UMC,USC,UTEK,USIC,UICC)
3월 : 구리 프로세스를 사용해 칩 출하 한 최초의 파운드리
5월 : 파운드리 업계 최초로 0.13마이크론 IC 생산.
9월 : 뉴욕증권거래소(NYSE)에 첫 진출.
12월 : 싱가포르에 선행공정 300mm 파운드리(UMCi) 설립 계획 발표.
2003년
1월 : UMCi 장비 반입 발표.
3월 : 90나노미터에서 최초로 고객 IC 생산한 파운드리.
2004년
3월 : UMCi, 전체 300mm 생산으로 변경.
5월 : 90나노미터 검증 완료 및 대량 생산.
7월 : SiS Microelectronics Corp. 팹 인수 완료.
12월 : 해당 자회사인 UMCi를 완전히 매입하고 UMC Fab 12i로 재명명.
2005년
6월 : 65나노미터에서 최초로 고객 IC 생산한 파운드리.
8월 : 100,000개가 넘는 90나노미터 웨이퍼 출하의 대기록 달성.
2006년
6월 : IC 회사 최초로 모든 팹에 대해 QC 080000 IECQ HSPM 적격성 달성.
11월 : 기능하는 45나노미터 IC 생산.
2007년
1월 : 타이난 과학공원(Tainan Science Park)의 선행 기술 단지 확장.
2008년
9월 : 다우존스 지속가능성 지수(Dow Jones Sustainability Indexes)에 대해 글로벌 지수 구성 요소로 명명.
10월 : UMC, 파운드리 업계 최초의 28 nm SRAM 발표.
2009년
4월 : 40나노미터 고객 IC 생산
12월 : 일본 자회사 UMCJ 완전 매입
2010년
5월 : 창립 30주년
12월 : Fab 12A Phase 3공장, 대량 생산 시작
2011년 10월 : UMC, 28 nm 시험 생산 개시
2012년 5월 : Fab 12A Phase 5& 6공장 기공식
2013년
3월 : 중국, 소주 Hejian 공장 취득
5월 : 싱가포르 Fab 12i,우수 전문 기술 센터로 지정
2014년 8월 : UMC, 후지쯔(Fujitsu)의 새로운 파운드리 컴퍼니에 합류
2015년 : 3월 : United Semi(중국, 하문) Fab 기공식
UMC는 뉴욕 증권거래소 에 UMC 의 주식 기호 로 상장되어 있으며, 2003년에 중화민국 증권거래소 에 상장되었다. UMC는 세계각국에 있는 10개의 반도체 제조 설비에서, 10,500명 직원이 업무를 담당하고 있다.
Fab
제조 공정
위치
웨이퍼 직경
매월 생산량
Fab 6A
0.45 μm
대만 신주
150 mm
50,000
Fab 8AB
0.25 μm
대만 신주
200 mm
70,000
Fab 8C
0.35–0.11 μm
대만 신주
200 mm
29,000
Fab 8D
90 nm
대만 신주
200 mm
32,000
Fab 8E
180 nm
대만 신주
200 mm
35,000
Fab 8F
150 nm
대만 신주
200 mm
32,000
Fab 8S
0.35–0.25 μm
대만 신주
200 mm
25,000
Fab 8N
0.35–0.11 μm
중국 쑤저우
200 mm
50,000
Fab 12A
28 nm
대만 타이난
300 mm
55,000
Fab 12i
55 nm
싱가폴
300 mm
45,000
↑ “UMC 가 걸어온 길” . United Microelectronics Corporation. 2020년 5월 4일에 원본 문서 에서 보존된 문서. 2020년 4월 24일에 확인함 .
