Il fosfuro di cadmio è un composto chimico inorganico del cadmio e del fosforo con formula Cd3P2. È un materiale semiconduttore solido grigio o bianco bluastro con una banda proibita di 0,5 eV[1].
Sintesi e reazioni
Il fosfuro di cadmio può essere preparato in una fiala sottovuoto dalla reazione del cadmio con il fosforo alla temperatura di 600 °C-680 °C:
![{\displaystyle {\ce {3Cd \ + \ 2P -> Cd3P2}}}](https://wikimedia.org/api/rest_v1/media/math/render/svg/15b192ff7e6a2e3bdbb8773a441c7360800c0bb3)
Il fosfuro di cadmio inoltre è solubile in acido cloridrico secondo la seguente reazione:
![{\displaystyle {\ce {Cd3P2\ +\ 6HCl->3CdCl2\ +\ 2PH3\uparrow }}}](https://wikimedia.org/api/rest_v1/media/math/render/svg/c2153d3b68f945f207b44cc04db5368f30943943)
Struttura
A temperatura ambiente il fosfuro di cadmio ha una struttura tetragonale con gruppo spaziale P42/nmc (gruppo nº 137) con costanti di reticolo
e
La struttura cristallina del fosfuro di cadmio è molto simile a quella del fosfuro di zinco (Zn3P2), dell'arseniuro di cadmio (Cd3As2) e dell'arseniuro di zinco (Zn3As2). Questi composti del sistema quaternario Zn-Cd-P-As presentano una soluzione solida continua completa[3].
Applicazioni
È usato come pesticida, per la costruzione di diodi laser e nell'elettronica ad alta frequenza e alta potenza[1].
Sicurezza
Come altri fosfuri metallici, è molto tossico se ingerito a causa della formazione del gas fosfina quando reagisce con l'acido gastrico. È anche cancerogeno e pericoloso per la pelle, gli occhi e altri organi, in gran parte a causa dell'avvelenamento da cadmio.
Note
- ^ a b c d e (EN) Cadmium Phosphide (Cd3P2) Semiconductors, su azom.com, 19 agosto 2013. URL consultato il 25 ottobre 2020 (archiviato dall'url originale il 30 ottobre 2020).
- ^ (EN) Cadmium Phosphide Cd3P2, su americanelements.com. URL consultato il 25 ottobre 2020.
- ^ (EN) V. M. Trukhan, A. D. Izotov e T.V. Shoukavaya, Compounds and solid solutions of the Zn-Cd-P-As system in semiconductor electronics, in Inorganic Materials, vol. 50, n. 9, 2014, pp. 868–873, DOI:10.1134/S0020168514090143.
Voci correlate
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