High-k-eriste on puolijohdekomponenteissa käytettävä eristekalvo, jonka κ-arvo eli suhteellinen permittiivisyys on korkea. Tietyn materiaalin suhteellinen permittiivisyys kuvaa sen kykyä varastoida energiaa sähkökenttään, eli sitä kuinka hyvä eriste se on. Puolijohdeteollisuuden kielenkäytössä high-κ tarkoittaa korkeaa dielektristä vakiota verrattuna piidioksidiin, jota perinteisesti käytetään transistorien eristeenä CMOS-kalvorakenteessa. Pakkaustiheyden kasvaessa mikropiireillä alkaa vuotovirrasta tulla ongelma, minkä vuoksi piidioksidikalvo pitää korvata transistorirakenteessa paremmalla eristeellä. Uudessa 45 nanometrin prosessorisukupolvessa Intel on ottanut käyttöön hafniumyhdisteen tällaiseksi high-k-kalvoksi[1]. Intel pitää kyseistä muutosta suurimpana muutoksena, mikä 40 vuoteen tehty CMOS-rakenteeseen ja auttaa Inteliä pitämään yhämilloin?Mooren lakia voimassa. Tarvittavan ohut ja tasainen hafniumoksidikalvo tehdään ALD-tekniikalla.[2]
Poikkileikkaus MOSFET-rakenteesta, jossa näkyy oksidieristekalvo
