فرایند۳۵۰ نانومتر

فرایند ۳۵۰ نانومتر به سطح فناوری فرایند نیم‌رسانای ماسفت اشاره دارد که توسط شرکت‌های پیشرو نیم‌رسانا مانند سونی، اینتل و آی‌بی‌ام به دست آمده‌است.

یک ماسفت با  طول کانال ۳۰۰ نانومتر توسط یک تیم تحقیقاتی به سرپرستی کی دگوچی و کازشیکو کوماتسو در نیپون تلگراف اند تلفن (NTT) در سال ۱۹۸۵ ساخته شده‌است.^[۱]

منابع

1. Deguchi, K.; Komatsu, Kazuhiko; Miyake, M.; Namatsu, H.; Sekimoto, M.; Hirata, K. (1985). "Step-and-Repeat X-ray/Photo Hybrid Lithography for 0.3 μm Mos Devices". 1985 Symposium on VLSI Technology. Digest of Technical Papers: 74–75. ISBN 4-930813-09-3.

پیشین: 600 nm

فرایندهای تولید سیماس

پسین: 250 nm