داوون کانگ

داوون کانگ
강대원
زادهٔ	۴ مهٔ ۱۹۳۱[۱] سئول
درگذشت	۱۳ مهٔ ۱۹۹۲ (۶۱ سال)[۲] نیوبرانزویک
ملیت	کره جنوبی
پیشه	مهندسی برق
شناخته‌شده برای	ماسفت (MOS transistor) PMOS و NMOS دیود شاتکی نانو الکترونیک Floating-gate MOSFET حافظه غیرفرار ای‌پی‌رام

داوون کانگ (انگلیسی: Dawon Kahng; ۴ مهٔ ۱۹۳۱^[۳] – ۱۳ مهٔ ۱۹۹۲^[۴]) مهندس اهل کره جنوبی بود.

وی همچنین برندهٔ جوایزی همچون مدال بالنتاین استیوارت شده‌است.

منابع

1. "Dawon Kahng". National Inventors Hall of Fame. 2009. Archived from the original on 28 March 2009. Retrieved 28 March 2009.
2. New York Times obituary
3. "dawon kahng". national inventors hall of fame. 2009. Archived from the original on 28 March 2009. Retrieved 28 March 2009.
4. new york times obituary

• مشارکت‌کنندگان ویکی‌پدیا. «Dawon Kahng». در دانشنامهٔ ویکی‌پدیای انگلیسی، بازبینی‌شده در ۴ آوریل ۲۰۲۰.