Seadise nimetamine dioodiks on tinglik, sest tema talitlus ei põhine mitte siirde omadustel, vaid negatiivsel diferentsiaaltakistusel. Dioodi nimetust õigustab see, et seadisel on nagu tavalisel dioodilgi pluss- ja miinuselektrood ‒ anood ja katood.
Gunni diood koosneb galliumarseniidi (GaAs) või galliumnitriidi (GaN) kihtidest: need kihid on kõik n-juhtivusega, kuid legeeritud erineva tugevusega (legeerimine seisneb sobivate lisandainete manustamises eesmärgiga tekitada vabu laengukandjaid, vaadeldaval juhul elektrone).
Dioodi pingestamisel tekib kõige suurem pingelang keskmisel, nõrgalt legeeritud kihil, kus ilmnebki negatiivne diferentsiaaltakistus: pinge tõustes elektronide liikuvus mitte ei suurene, vaid väheneb; vastavalt väheneb ka dioodi läbiv vool.[1]
GaAs-dioodid on võimelised genereerima sagedusi kuni 140 GHz ja GaN-dioodid kuni 3000 GHz (gigahertsi).
Gunni generaator on lihtsa ehitusega, koosnedes Gunni elemendist ja õõsresonaator-võnkeringist. Ta muundab energiat võrdlemisi tõhusalt, genereeritav võimsus piirdub sadade millivattidega. Gunni generaatoreid kasutatakse mikrolainete saatjana andmeedastustehnikas, miniatuursetes radarseadmetes ja amatöörraadiosides.
