Semiconductor de brecha estrecha

Los semiconductores de brecha estrecha son materiales semiconductores con una banda prohibida inferior a 0,5 eV, lo que corresponde a una longitud de onda de corte de absorción infrarroja superior a 2,5 micras. Una definición más amplia incluye todos los semiconductores con bandas prohibidas inferiores al silicio (1,1 eV).^[1]​^[2]​ Las tecnologías modernas de terahercios,^[3]​ infrarrojos^[4]​y termografía^[5]​se basan en esta clase de semiconductores.

Los materiales de brecha estrecha han hecho posible la teledetección por satélite,^[6]​los circuitos integrados fotónicos para telecomunicaciones,^[7]​^[8]​^[9]​ y los sistemas Li-Fi para vehículos no tripulados,^[10]​en el régimen de detector infrarrojo y visión infrarroja.^[11]​^[12]​ También son la base material de la tecnología de terahercios, incluida la vigilancia de seguridad para descubrir armas ocultas,^[13]​^[14]​^[15]​ la obtención segura de imágenes médicas e industriales con tomografía de terahercios,^[16]​^[17]​^[18]​ así como los aceleradores dieléctricos de campo de estela. ^[19]​^[20]​^[21]​Además, la termofotovoltaica integrada con semiconductores de brecha estrecha puede utilizar la parte tradicionalmente desperdiciada de la energía solar, que ocupa ~49% del espectro de la luz solar.^[22]​^[23]​Las naves espaciales, los instrumentos de las profundidades oceánicas y las instalaciones de física del vacío utilizan semiconductores de brecha estrecha para lograr la refrigeración criogénica.^[24]​^[25]​

Lista de semiconductores de brecha estrecha

Nombre	Fórmula química	Grupos	Banda prohibida (300 K)
Telururo de mercurio y cadmio	Hg1−xCdxTe	II-VI	0 a 1,5 eV
Telururo de mercurio y zinc	Hg1−xZnxTe	II-VI	0,15 a 2,25 eV
Seleniuro de plomo	PbSe	IV-VI	0,27 eV
Sulfuro de plomo (II)	PbS	IV-VI	0,37 eV
Telururo de plomo	PbTe	IV-VI	0,32 eV
Arseniuro de indio	En Como	III-V	0,354 eV
Antimoniuro de indio	InSb	III-V	0,17 eV
Antimoniuro de galio	Gasb	III-V	0,67 eV
Arseniuro de cadmio	Cd3Como2	II-V	0,5 a 0,6 eV
Telururo de bismuto	Bi2Te3		0,21 eV
Telururo de estaño	Snte	IV-VI	0,18 eV
Seleniuro de estaño	SnSe	IV-VI	0,9 eV
Seleniuro de plata (I)	Ag2Se		0,07 eV
Siliciuro de magnesio	Mg2Si	II-IV	0,79 eV[26]​

Véase también

• Lista de materiales semiconductores

Referencias

1. Li, Xiao-Hui (2022). «Narrwo-Bandgap Materials for Optoelectronics Applications». Frontiers of Physics 17 (1): 13304. Bibcode:2022FrPhy..1713304L. S2CID 237652629. doi:10.1007/s11467-021-1055-z. 
2. Chu, Junhao; Sher, Arden (2008). Physics and Properties of Narrow Gap Semiconductors. Springer. ISBN 978-0-387-74743-9. doi:10.1007/978-0-387-74801-6. 
3. Jones, Graham A.; Layer, David H.; Osenkowsky, Thomas G. (2007). National Association of Broadcasters Engineering Handbook. Taylor and Francis. p. 7. ISBN 978-1-136-03410-7. 
4. Avraham, M.; Nemirovsky, J.; Blank, T.; Golan, G.; Nemirovsky, Y. (2022). «Toward an Accurate IR Remote Sensing of Body Temperature Radiometer Based on a Novel IR Sensing System Dubbed Digital TMOS». Micromachines 13 (5): 703. PMC 9145132. PMID 35630174. doi:10.3390/mi13050703. 
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• Nimtz, Günter (1980). «Recombinación en semiconductores de gap estrecho». Physics Reports (Elsevier BV) 63 (5): 265-300. Bibcode:1980PhR....63..265N. ISSN 0370-1573. doi:10.1016/0370-1573(80)90113-1. }

Enlaces externos

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